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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGIPL14K60 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 15 A, 600 V, 44 W, SDIP84951+￥150.075010+￥146.160050+￥143.1585100+￥142.1145200+￥141.3315500+￥140.28751000+￥139.63502000+￥138.9825 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin D2PAK T/R87641+￥49.117210+￥46.2990100+￥44.2055250+￥43.8834500+￥43.56131000+￥43.19902500+￥42.87695000+￥42.6756 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。88285+￥6.048025+￥5.600050+￥5.2864100+￥5.1520500+￥5.06242500+￥4.95045000+￥4.905610000+￥4.8384 -
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品类: IGBT晶体管描述: 20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT49775+￥29.565950+￥28.3024200+￥27.5948500+￥27.41801000+￥27.24112500+￥27.03895000+￥26.91267500+￥26.7862 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。39265+￥4.131025+￥3.825050+￥3.6108100+￥3.5190500+￥3.45782500+￥3.38135000+￥3.350710000+￥3.3048 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGWA40H120DF2 TO-247-342805+￥12.764750+￥12.2192200+￥11.9137500+￥11.83741000+￥11.76102500+￥11.67375000+￥11.61927500+￥11.5646 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGY50NC60WD 系列 600 V 50 A 超快 IGBT 通孔 - MAX-24791261+￥97.899510+￥93.6430100+￥92.8768250+￥92.2809500+￥91.34451000+￥90.91882500+￥90.32295000+￥89.8122 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。319710+￥8.5920100+￥8.1624500+￥7.87601000+￥7.86172000+￥7.80445000+￥7.73287500+￥7.675510000+￥7.6469 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚592010+￥11.1480100+￥10.5906500+￥10.21901000+￥10.20042000+￥10.12615000+￥10.03327500+￥9.958910000+￥9.9217 -
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品类: IGBT晶体管描述: SLLIMM™ 智能电源模块，STMicroelectronics 通过引入第二个 SLLIMM 智能电源模块系列，STMicroelectronics 扩展了 IGBT 智能电源模块的功能。 由于具有最佳传导和转换能量平衡，结合了出色的坚固性和 EMI 行为，它们可提高电动机驱动器应用的效率，使其工作高达 20 kHz。 它们提供完全模制或基于 DBC 的封装，具有较高的电极电流。 小型低损耗智能模制模块 (SLLIMM™) 可提高家用电器电动机驱动器的效率。 智能电源模块 (IPMS) 可在低电压微控制器和电源供电电动机之间提供直接连接。 三相 IGBT 反相器桥接，包括用于栅极驱动的控制 IC 和续流二极管 175°C 最大工作接点温度 600V，额定值从 8A 到 35A 直流（25°C 时） 低 VCE(sat) 具有市场上最低的 Rth 值，用于 DBC 封装型号 隔离额定值为 1500 Vrms/min 经优化的驱动器和硅，提供低 EMI 单独的开路发射器输出 3.3V、5V、15V CMOS/TTL 输入 欠压锁定 内部限幅二极管 联锁功能 智能关闭功能 比较器，用于防止过热和过电流故障 ### 电动机控制器和驱动器，STMicroelectronics70651+￥43.944410+￥41.4230100+￥39.5500250+￥39.2618500+￥38.97361000+￥38.64952500+￥38.36135000+￥38.1812 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGWA40S120DF3 晶体管, IGBT, TO24738351+￥62.445010+￥59.7300100+￥59.2413250+￥58.8612500+￥58.26391000+￥57.99242500+￥57.61235000+￥57.2865 -
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品类: IGBT晶体管描述: SLLIMM™ 智能电源模块，STMicroelectronics 通过引入第二个 SLLIMM 智能电源模块系列，STMicroelectronics 扩展了 IGBT 智能电源模块的功能。 由于具有最佳传导和转换能量平衡，结合了出色的坚固性和 EMI 行为，它们可提高电动机驱动器应用的效率，使其工作高达 20 kHz。 它们提供完全模制或基于 DBC 的封装，具有较高的电极电流。 小型低损耗智能模制模块 (SLLIMM™) 可提高家用电器电动机驱动器的效率。 智能电源模块 (IPMS) 可在低电压微控制器和电源供电电动机之间提供直接连接。 三相 IGBT 反相器桥接，包括用于栅极驱动的控制 IC 和续流二极管 175°C 最大工作接点温度 600V，额定值从 8A 到 35A 直流（25°C 时） 低 VCE(sat) 具有市场上最低的 Rth 值，用于 DBC 封装型号 隔离额定值为 1500 Vrms/min 经优化的驱动器和硅，提供低 EMI 单独的开路发射器输出 3.3V、5V、15V CMOS/TTL 输入 欠压锁定 内部限幅二极管 联锁功能 智能关闭功能 比较器，用于防止过热和过电流故障 ### 电动机控制器和驱动器，STMicroelectronics93001+￥84.410010+￥80.7400100+￥80.0794250+￥79.5656500+￥78.75821000+￥78.39122500+￥77.87745000+￥77.4370 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAK16925+￥15.561050+￥14.8960200+￥14.5236500+￥14.43051000+￥14.33742500+￥14.23105000+￥14.16457500+￥14.0980 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。48651+￥46.860210+￥44.1715100+￥42.1742250+￥41.8669500+￥41.55961000+￥41.21392500+￥40.90675000+￥40.7146 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed85775+￥20.802650+￥19.9136200+￥19.4158500+￥19.29131000+￥19.16682500+￥19.02465000+￥18.93577500+￥18.8468 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGWA80H65DFB TO-24739055+￥16.602350+￥15.8928200+￥15.4955500+￥15.39621000+￥15.29682500+￥15.18335000+￥15.11247500+￥15.0414 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGD18N40LZT4 单晶体管, IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252, 3 引脚413110+￥6.5880100+￥6.2586500+￥6.03901000+￥6.02802000+￥5.98415000+￥5.92927500+￥5.885310000+￥5.8633 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGD10HF60KD DPAK75875+￥13.267850+￥12.7008200+￥12.3833500+￥12.30391000+￥12.22452500+￥12.13385000+￥12.07717500+￥12.0204 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGF15M65DF2 TO-220FP-368055+￥5.872525+￥5.437550+￥5.1330100+￥5.0025500+￥4.91552500+￥4.80685000+￥4.763310000+￥4.6980 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚34395+￥12.261650+￥11.7376200+￥11.4442500+￥11.37081000+￥11.29742500+￥11.21365000+￥11.16127500+￥11.1088 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGF10NC60KD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚394510+￥9.3720100+￥8.9034500+￥8.59101000+￥8.57542000+￥8.51295000+￥8.43487500+￥8.372310000+￥8.3411 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。127610+￥10.0200100+￥9.5190500+￥9.18501000+￥9.16832000+￥9.10155000+￥9.01807500+￥8.951210000+￥8.9178 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V,120A,IGBT带二极管38201+￥40.101410+￥37.8005100+￥36.0913250+￥35.8283500+￥35.56531000+￥35.26952500+￥35.00665000+￥34.8422 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V,60A,IGBT带二极管82715+￥19.047650+￥18.2336200+￥17.7778500+￥17.66381000+￥17.54982500+￥17.41965000+￥17.33827500+￥17.2568 -
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品类: IGBT晶体管描述: HB 系列 650 V 60 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-24773245+￥25.084850+￥24.0128200+￥23.4125500+￥23.26241000+￥23.11232500+￥22.94085000+￥22.83367500+￥22.7264 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。920210+￥7.2000100+￥6.8400500+￥6.60001000+￥6.58802000+￥6.54005000+￥6.48007500+￥6.432010000+￥6.4080 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。75355+￥14.250650+￥13.6416200+￥13.3006500+￥13.21531000+￥13.13002500+￥13.03265000+￥12.97177500+￥12.9108 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。1817 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。3306 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGW30H65FB TO-247578210+￥11.9640100+￥11.3658500+￥10.96701000+￥10.94712000+￥10.86735000+￥10.76767500+￥10.687810000+￥10.6480
